ITnews - Новости Информационных Технологий
ITnews - Новости Информационных Технологий
МТС покажет Юморину в 3D
Google анонсировала обновленный Nexus 4
Подробная информация о Samsung Galaxy Star и Samsung Pocket Neo
 Пятница, 5 декабря 2025 г.  

ИнтернетСвязьТехнологииБезопасностьБизнесСофтЖелезоГаджеты

Память


Первый невидимый радиатор на модулях DRAM Первый невидимый радиатор на модулях DRAM
17 июня 2010, 14:43
В модулях KINGMAX DRAM применена технология Nano Thermal Dissipation для повышения производительности
Wilk Elektronik вводит в продажу память DDR3 объемом 4 ГБ в одном модуле Wilk Elektronik вводит в продажу память DDR3 объемом 4 ГБ в одном модуле
13 мая 2010, 12:29
Впервые в Европе в продаже появился отдельный модуль DDR3 объемом 4 ГБ, который работает как в режиме Dual, так и Triple Channel.
Transcend выпускает трехканальный набор памяти aXeRam DDR3-2000 Transcend выпускает трехканальный набор памяти aXeRam DDR3-2000
4 мая 2010, 12:24
Transcend Information, Inc., мировой лидер среди производителей мультимедиа и накопителей, сообщила о расширении своей линейки aXeRam новыми наборами памяти: 6 ГБ трехканальной DDR3-2000 и 4 ГБ двухканальной DDR3-1600.
Samsung начинает поставки самых емких модулей памяти для серверов Samsung начинает поставки самых емких модулей памяти для серверов
30 марта 2010, 12:53
Samsung первой выпускает 40-нм 32-ГБ память для серверов
Kingston выпустит самый быстрый набор модулей памяти DDR3 Kingston выпустит самый быстрый набор модулей памяти DDR3
16 марта 2010, 9:08
Компания Kingston Technology объявила о том, что разрабатываемый ей двухканальный набор оперативной памяти DDR3 под обозначением KHX2400C9D3T1K2/4GX был сертифицирован Intel
Elpida создала 1 Гб чип GDDR5 с пропускной способностью 6 Гбит/сек Elpida создала 1 Гб чип GDDR5 с пропускной способностью 6 Гбит/сек
24 ноября 2009, 9:51
Elpida Memory разработала 1-гигабитный чип графической памяти GDDR5, чья пропускная способность составляет 6 Гбит/сек. Поставки нового продукта начнутся в декабре, массовое производство будет запущено во 2 квартале 2010 г.
Hynix выпустила 40-нм 2 Гб чипы DDR3 DRAM Hynix выпустила 40-нм 2 Гб чипы DDR3 DRAM
20 ноября 2009, 17:29
Hynix Semiconductor анонсировала свои 2-гигабитные чипы DDR3 DRAM, сделанные по нормам 40-нм техпроцесса. Эти продукты прошли тестирование у Intel, и Hynix уже приступила к их серийному выпуску.
Intel и Numonyx разработали многослойную память на базе фазовых переходов Intel и Numonyx разработали многослойную память на базе фазовых переходов
28 октября 2009, 15:18
Корпорация Intel и компания Numonyx объявили о значительном прорыве в разработке Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти с возможностью создания многослойных массивов на одном кристалле.
Hynix создала энергоэффективные 1 Гб модули DDR3 Hynix создала энергоэффективные 1 Гб модули DDR3
16 октября 2009, 19:15
Hynix Semiconductor анонсировала 1-гигабитный модуль памяти DDR3 второго поколения, сделанный по нормам 54-нм техпроцесса. Чип работает при напряжении 1,5 вольта и поставляется в комплектах из 4 (H5TQ1G43TFR) и 8 модулей (H5TQ1G83TFR).
Elpida представила 40-нм 2-Гб модули DDR3 SDRAM Elpida представила 40-нм 2-Гб модули DDR3 SDRAM
8 октября 2009, 17:17
Японская Elpida Memory завершила разработки по созданию 2-гигабитных модулей памяти DDR3 SDRAM, сделанных по нормам 40-нм техпроцесса.

1 - 2 - 3 - 4 - ... Дальше

Последние новости:


Актуальные темы:


RSS 2.0

Главная • Новости • Аналитика • Интервью • Обзоры • Фотогалереи • Wi-Fi • Фотоновости • Форум
Copyright © 2005-2012 ITnews
Любое использование материалов, опубликованных на ITnews,
разрешается только в случае указания гиперссылки на ITnews.com.ua
О нас | Прислать новость | Экспорт новостей | Подписка на новости | Реклама
TOP.proext.com