Кевин Вонг (Kevin Wong), аналитик и глава китайского подразделения IHS, сообщил о том, что смартфоны Galaxy S8 и Xiaomi Mi 6 станут первыми аппаратами, которые получат чип мощный Snapdragon 835.
Напомним, что сама южнокорейская Samsung принимает активное участие в разработке Snapdragon 835, в основе которого техпроцесс Samsung 10-нм FinFET.
Чипы Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) способны обеспечить на 27% рост производительности и на 40% меньшее энергопотребление в сравнении с 14-нм предшественниками.
