MRAM-память по-китайски

Как известно, все новое – это давно забытое старое. На этот раз, поводом к тому, чтобы вспомнить известную поговорку послужила новая разработка китайских ученых в области MRAM-памяти. Китайский вариант такой памяти представляет собой массив магнетических ячеек памяти, состояние которых определяется направленностью мельчайших ферромагнитных элементов.

В традиционной MRAM-памяти запись происходит посредством воздействия магнитного поля, образованного перекрестными импульсными токами, а чтение производится посредством туннелирования коэффициента магнетосопротивления, передает 3Dnews.

Китайцы же смогли улучшить характеристики MRAM-памяти, спроецировав архитектуру магнитной памяти, разработанную в 60-х годах прошлого века на микроэлементы. Другими словами, исследователи из Китайской академии наук использовали для хранения 0 и 1 магнитные кольца миллимикронного размера. Внешний и внутренний диаметры кольца составляют 100 нм и 50 нм соответственно. По словам разработчиков, такая ячейка памяти меняет свой магнитный момент за счет воздействия положительного или отрицательного тока.

В итоге, применение такой технологии позволяет снизить энергопотребление и размер ячеек MRAM-памяти. Сейчас исследователям удалось достигнуть показателя энергопотребления 500-650 мА для операции записи и 10-20 мА для чтения. За счет дальнейшего совершенствования технологии, исследователи планируют уменьшить энергопотребление операции записи до 100-200 мА.

К сожалению, нет никакой информации относительно того, какой технологический процесс использовался для производства такой памяти и какую емкость удалось при этом получить. Остается лишь добавить, что работа в этом направлении в Китае велась с апреля 2002 года по сентябрь 2006 года.