Компания Toshiba сообщила о разработке транзистора по 32-нм технологии. Устройство и соответствующие спецификации, по сообщению Dusiness Nikkei Daily, компания представила конференции US International Electron Devices.
Транзистор получил название FinFET - field effect transistor, реальная его длинна составляет всего 20 нм. Руководство Toshiba возлагает на эту технологию самые радужные надежды.
