Компании Toshiba и NEC разрабатывают новый стандарт памяти - MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory).
Новая технология магниторезистивной памяти призвана обеспечить самую высокую плотность хранения данных и самую высокую скорость записи и считывания. Последний показатель соответствует примерно 200 Мбит/с.
Что же касается энергопотребления - новые чипы потребуют лишь 1,8 В, сообщают разработчики.
