Вчера компания Toshiba объявила о запуске нового продукта — 32 ГБ встраиваемой флэш-памяти формата NAND с самой высокой на сегодня плотностью хранения данных и полным соответствием стандартам e-MMC и eSD. Устройство предназначено для применения в различных видах портативной цифровой техники, например, мобильных телефонах или видеокамерах.
32 ГБ память включает 8 чипов, каждый объемом в 32 Гбит (=4ГБ), созданных с помощью 43 нм технологии, и специализированный контроллер. Устройство полностью соответствует высокоскоростным форматам для карт памяти JEDEC/MMCA Ver 4.3 и SDA Ver 2.0.
Toshiba предлагает ряд различных модулей встраиваемой памяти типа NAND, включающих контроллер для управления основных функций в NAND-приложениях: LBA-NAND памяти с NAND-интерфейсом, eSD-чипов с большой емкостью и соответственным интерфейсом и e-MMC с интерфейсом HS-MMC. Эти модули, варьирующие по показателям плотности от 1GB до 32GB, могут широко применяться в различных видах электронной продукции.
В настоящее время наблюдается всплеск спроса на флэш-память с контроллерной функцией, такие модули значительно упрощают интеграцию памяти в другие устройства. В угоду растущему спросу корпорация Toshiba собирается начать массовое производство 32 ГБ встраиваемой памяти в 4 квартале этого года, а первые образцы продукции появятся уже в сентябре.
