31 августа 2010, 11:51

Flash-память от Toshiba: 8 ГБ на одном чипе

Toshiba объявила о начале массового производства чипов NAND flash на основе 24-нм технологии.

Новые технологии позволят добиться плотности 8 ГБ на одном чипе (2 бита в ячейке). Компания планирует и далее развивать этот метод и выпустить 32-ГБ чипы с 3 битами в ячейке. В чипе использована и технология Toshiba DDR для повышения скорости передачи данных.

С такими характеристиками, как небольшие размеры и повышенная плотность, новые чипы могут быть использованы в мобильных телефонах, цифровых видеокамерах. Toshiba сможет поставлять их для таких продуктов, как iPod и iPhone.

 

Оцените новость:
  • 0 оценок