Samsung объявила о начале массового производства двух продуктов 30-нм NAND flash-памяти.
Первый из них представляет собой NAND флэш-память с многоуровневыми ячейками с интерфейсом DDR (double data rate — с удвоенной скоростью передачи данных). Правда, Samsung утверждает, что новая DDR флэш-память работает не в два, а в три раза быстрее по сравнению с обычными NAND чипами. Максимальная скорость чтения у одного чипа MLC DDR flash-памяти достигает 133 Мбит/сек, у предыдущих моделей она была на уровне 40 Мбит/сек. Максимальная скорость чтения также в три раза выше: 60 Мбит/сек против 17 Мбит/сек. Новые чипы можно будет использовать в смартфонах, портативных медиаплеерах, а также SSD.
Вместе со скоростной флэш-памятью были представлены высокоемкие чипы памяти — с плотностью 3 бита на ячейку. Такое решение в сравнении с традиционной технологией 2 бита на ячейку позволяет увеличить ресурсы памяти на 50% — при сохранении тех же физических размеров чипа.
3-битная flash-память предназначается для 8 ГБ карт microSDHC, в ближайшем будущем подобное решение появится и для карт бОльших объемов, а также для USB флэш-носителей.
DDR NAND флэш-память может использоваться в SSD, высокопроизводительных картах памяти SD (класс 6), картах памяти для смартфонов и фирменных запоминающих устройствах Samsung moviNAND. Высокоскоростная flash-память уже доступна для OEM-производителей. Скорее всего, данная разработка заинтересует и компанию Apple, которая является основным заказчиком Samsung и известна своим стремлением применять новейшие технологии для увеличения и ускорения ресурсов памяти в iPhone и iPod.
