SanDisk в сотрудничестве с Toshiba представили на Международной конференции по полупроводниковым схемам чипы NAND flash-памяти, сделанные по нормам 32-нм техпроцесса и имеющие плотность 3 бита на одну ячейку. Емкость одного чипа многоуровневой NAND flash-памяти составляет 32 Гб. По словам представителей компаний, 32-гигабитная память позволит вдвое увеличить емкость microSD чипа, по сравнению с теми же чипами, выполненными по нормам 43-нм технологии. Использование памяти microSD возросло пропорционально продажам мобильных телефонов и медиаплееров с возможностями расширения памяти.
SanDisk и Toshiba также представили другую высокоемкую микросхему многоуровневой NAND flash-памяти X4, с 4 битами на одну ячейку. Микросхема выполнена согласно нормам 43-нм техпроцесса. В данной технологии используется новый контроллер памяти, а пропускная способность чипа составлят 7,8 МБ/с, при этом на один кристалл приходится рекордная емкость памяти — 64 Гб. Контроллер X4 использует первый в своем роде код исправления ошибок, специально разработанный для систем хранения и приспособленный для поддержки 16 уровней распределения, необходимых для структуры 4 бита на одну ячейку.
Архитектура 4 бита на одну ячейку
Компании запустят производство 32-нм 32-гигабитной памяти X3 во второй половине 2009 года. Toshiba предоставила опытные образцы новой памяти компании Apple для возможного применения в iPhone и iPod touch.
Что касается flash-памяти X4, запуск ее производства также планируется на этот год.
