Intel и Micron Technology совместными усилиями разрабатывают MLC NAND flash-память нового типа - с 3 битами на одну ячейку.
Совместное предприятие IM Flash Technologies, созданное Intel и Micron, будет производить 32-гигабитные чипы с 3 битами на ячейку по 34-нм технологиям. Micron уже испытывает новые чипы, площадь которых составляет всего 126 квадратных миллиметров.
По утверждению Брайана Ширли (Brian Shirley), вице-президента Micron, уже в этом году IM Flash Technologies освоит 2x-нм техпроцесс, который позволит создавать еще более миниатюрные микросхемы NAND flash-памяти.
Массовое производство высокоемких 32-гигабитных чипов NAND flash-памяти с плотностью 3 бита на ячейку, сделанных по 34-нм технологиям, начнется в 4 квартале текущего года. Очевидно, первые flash-карты и USB-носители на основе новых чипов появятся уже в следующем году.
В феврале SanDisk и Toshiba представили 32-гигабитные чипы NAND flash-памяти, которые имели плотность 3 бита на одну ячейку, но были сделаны по нормам 32-нм техпроцесса.
