Toshiba, которая недавно начала массовый выпуск 32-нм flash-чипов с 3 битами на 1 ячейку, ожидает, что к концу 2009 более половины от всего объема продукции, изготовленной на заводе в Йоккайчи, составят 32-нм чипы.
Конкурирующая группа в лице Intel и Micron Technology собиралась представить новую 2х-нм технологию позже в нынешнем году. Массовое производство 34-нм 32-гигабитных NAND flash-модулей с 3 битами на 1 ячейку будет запущено на базе IM Flash Technologies — совместного предприятия, образованного Intel и Micron.
Samsung Electronics собирается модернизировать свой завод в Остине, США, шт. Техас, выпускающий 8-дюймовые пластины. Здесь будут изготавливать 12-дюймовые пластины — с целью увеличить со второй половины 2010 производство NAND flash-чипов. В настоящее время корейская компания производит NAND flash-память по 42-нм технологиям.
С внедрением технологии 2х-нм цена SSD станет меньше, что будет способствовать их дальнейшему распространению и наступлению на позиции жестких дисков.
