15 декабря 2009, 10:29

Toshiba выпустила 32-нм NAND flash-модули на 64 ГБ

Toshiba представила встраиваемые NAND flash-модули с рекордной емкостью - 64 ГБ. Один такой модуль включает выделенный контроллер и 16 чипов, каждый из которых обладает емкостью 32 гигабит и сделан по нормам 32-нм техпроцесса. При этом толщина одного чипа составляет всего 30 микрометров.

Toshiba NAND flash память 64 ГБ 32 нм

Пока максимальный объем карт с flash-памятью, используемых в портативных устройствах - смартфонах и миниплеерах, не превышает 32 ГБ. А с новинками от Toshiba память таких устройств, как iPhone и iPod touch, можно будет увеличить до 64 ГБ и до 128 ГБ соответственно (в iPod touch можно устанавливать два модуля памяти).

Опытные образцы 64 ГБ модулей будут доступны для заказов уже в этом месяце, а их массовое производство начнется в 1 квартале 2010 г. 

Оцените новость:
  • 1 оценка