Компания Samsung Electronics, мировой лидер в сфере передовых полупроводниковых технологий, первой в отрасли начала массовое производство микросхем флеш-памяти NAND с 3-битной архитектурой ячеек емкостью 64 гигабит (Гб).
Новые микросхемы выпускаются по технологическим нормам 20-нанометрового класса. Эти передовые продукты могут использоваться при производстве устройств на базе флеш-памяти высокой емкости, таких как USB-накопители и карты памяти Secure Digital (SD).
Большая емкость новых микросхем (64 гигабит) поспособствует популяризации интерфейса Toggle DDR в высокопроизводительных продуктах, использующих флеш-память – USB-накопителях, картах памяти SD, а также смартфонах и твердотельных накопителях. Ожидается, что эти чипы придут на смену существующим 32-гигабитным микросхемам.
64-гигабитные микросхемы флеш-памяти Samsung NAND с 3-битовой архитектурой ячеек имеют на 60 % более высокую производительность в сравнении с 32-гигабитными чипами NAND, выполненными по технологии 30-нанометрового класса. Высокую производительность устройству обеспечивает спецификация асинхронного интерфейса Toggle DDR 1.0 (в чипах NAND используется одноканальный интерфейс Single Data Rate, SDR).
64-гигабитные микросхемы NAND с 3-битной архитектурой ячеек, выполненные по нормам 20-нанометрового класса, являются продолжением линейки 32-гигабитных чипов NAND с многоуровневой архитектурой ячеек, изготовленных по технологии того же класса.
