Компании Micron и Sun представили свою совместную разработку — NAND флэш-память с одноуровневыми ячейками (SLC), которая может выдержать до миллиона циклов записи данных, пишет TG Daily. Обычная флэш-память имеет намного меньший срок эксплуатации, она выдерживает от силы 100 тыс. таких циклов, после чего нарушается ее способность записывать информацию.
По мнению разработчиков, новая технология будет востребована для SSD, систем хранения данных, кэширования дисков, построения сетей.
Компания Micron уже выпустила тестовые образцы новой памяти с емкостью модуля до 32 гигабит.
Массовое производство износостойкой flash NAND-памяти начнется в первом квартале следующего года. Также в начале 2009 года Micron планирует представить одноуровневую и многоуровневую версии NAND-памяти, произведенной по 34-нм техпроцессу.
