Компания Samsung Electronics объявляет о внедрении 40-нм технологий для производства 8-гигабитных чипов flash-памяти смешанного типа Flex-OneNAND, которая объединяет в одном чипе структуры с одноуровневыми и многоуровневыми ячейками (SLC и MLC NAND).
Samsung утверждает, что, применение 40-нм технологий позволило увеличить производительность чипов на 180% по сравнению с первой разработкой памяти Flex-OneNAND, которая была выполнена по нормам 60-нм техпроцесса и обладала емкостью в 4 Гбит.
Первые чипы Flex-OneNAND были созданы в 2007 году, в них одно- и многоуровневые ячейки flash-памяти NAND были размещены на единую кремниевую пластину. Такой подход позволяет уменьшить стоимость и увеличить надежность flash-памяти NAND.
Samsung также включила специальное ПО для поддержки новым чипом Flex-OneNAND системного интерфейса moviNAND (или eMMC). Это позволит производителям телефонов применять высокоплотную встраиваемую память в своей продукции и избавит их от необходимости устанавливать дополнительные приложения.
Если сравнить 8-гигабитный чип Flex-OneNAND с обычной MLC NAND памятью, то окажется, что скорость чтения в MLC-зоне нового чипа в три раза выше, а в SLC — в четыре раза превышает тот же показатель традиционной MLC NAND памяти. Что касается скорости записи, то в MLC-зоне особых отличий нет, а вот SLC обеспечивает втрое большую скорость. Кроме того, новый чип Flex-OneNAND займет меньше места на печатной плате и будет работать лучше, поскольку отличается способностью уменьшать искажения, возникающие при передаче данных.
Чипы Flex-OneNAND были разработаны специально для применения в устройствах, где требуется высокая скорость и высокая надежность при обработке кодов и данных.
Компания Samsung полагает, что новые чипы Flex-OneNAND найдут свое применение в высокопроизводительных смартфонах, HD-телевизорах, устройствах для IPTV. Причем электронные устройства с 8-гигабитными чипами памяти Flex-OneNAND будут выпущены уже к концу текущего года.
