Корпорация Toshiba запускает новую линейку носителей flash-памяти NAND с одноуровневыми ячейками, сделанными по 43 нм-процессу. Плотность новых чипов составит от 512 Мбит до 64 Гбит, всего будет предложено 16 модификаций.
43-нанометровый техпроцесс позволил Toshiba удвоить плотность чипов памяти, по сравнению с 56-нм процессом. При этом они имеют высокую скорость считывания и записи информации, что характерно для одноуровневых ячеек, которые передают данные в 2,5 раза быстрее, чем более распространенные, но, вместе с тем, и более медленные запоминающие устройства с многоуровневыми ячейками.
Новые чипы будут комплектоваться в качестве встроенного ОЗУ в различные портативные устройства, которым необходимы большие объемы памяти: сотовые телефоны, телевизоры высокой четкости, серверы, мобильные аудио- и видеоустройства. Новые чипы появятся на рынке в первом квартале следующего года.
