Корпорация SanDisk на конференции International Solid-State Circuits Conference сделала два объявления, которые, по словам компании, будут иметь огромное влияние на объем и плотность памяти в запоминающих устройствах.
Калифорнийская фирма заявила, что она с компанией-партнером Toshiba разработала новый тип NAND-памяти, который может хранить 3 бита данных в каждой своей ячейке. Достижение обеспечивает на 20% больше полезного пространства, чем обычная многоуровневая ячейка (Multi-Level Cell, MLC) без уменьшения скорости: скорость записи все так же составляет 8Мб в секунду.
Вторая разработка сделала прорыв в организации технологического процесса. Также при участии Toshiba, SanDisk создала один из первых 43-нм NAND-накопителей по принципу многоуровневых ячеек. Он имеет в два раза большую плотность по сравнению с устройствами, изготовленными по 56-нм техпроцессу. Такой подход обеспечит высокую производительность при меньшей стоимости.
SanDisk намерена начать поставки NAND-памяти во второй половине 2008 года, однако, она не сообщила, какие устройства и корпорации будут ее использовать. Тем не мене, компания уже интегрирует разработки в свои карты памяти и медиаплееры Sansa.
