Компания Samsung представила быстродействующую flash-память емкостью 1Gb. Память OneNand разработана специально для использования в сотовых телефонах нового поколения и отличается от типичных flash-накопителей четырехкратным превосходством в скорости считывания, достигающей 108 Мб/с.
При изготовлении чипов использована 90нм технология. Для ввода-вывода информации использован 66-мГц интерфейс и 5 Кб кэш, способствующий ускорению считывания хранимой в чипе информации.
