Toshiba выпустила обновленную линейку твердотельных накопителей, построенных по 43-нанометровой технологии MLC NAND. Среди новинок представлен первый в мире SSD в форм-факторе 2.5" емкостью 512ГБ. Твердотельные диски будут продемонстрированы на выставке CES 2009, которая пройдет в Лас-Вегасе с 8 по 11 января 2009 года.
В дополнение к SSD емкостью 512ГБ в семействе SSD на основе MLC NAND представлены накопители емкостью 64ГБ, 128ГБ и 256ГБ, предлагаемые в форм-факторах 1.8 и 2.5 дюймов, а также модули флэш-памяти. Образцы продукции будут доступны в первом квартале 2009 года, массовое производство начнется во втором квартале 2009 года.
Второе поколение SSD Toshiba характеризуется повышенной емкостью и высоким быстродействием в ноутбуках благодаря использованию новейшего MLC-контроллера. Он обеспечивает более высокую скорость чтения/записи (240Мб/с и 200Мб/с соответственно), а также параллельную передачу данных. Для обеспечения защиты от несанкционированного доступа к данным используется алгоритм шифрования AES.
По мнению аналитиков, в 2009 году SSD начнет набирать силу на рынке, в 2010 году процент твердотельных накопителей в ноутбуках достигнет 10%, а к 2012 году - 25%. Представители Toshiba уверены, что соотношение цена/производительность новой линейки SSD будет способствовать распространению твердотельных накопителей.
Toshiba планирует продолжать разработки, расширяющие возможности флэш-памяти типа NAND, и поддерживать свое лидерство на этом рынке. Компания будет стимулировать спрос на применение SSD в ноутбуках, нетбуках и других продуктах цифровой потребительской электроники, предлагая накопители различной емкости в разных форм-факторах, а также повышая их производительность.
Tecra R10 полностью соответствует стандартам RoHS. Ноутбук значительно снижает воздействие на окружающую среду за счет отсутствия свинца, ртути и некоторых других опасных веществ. Задняя подсветка LED-дисплея, новейший процессор и использование SSD для хранения информации так же влияет на снижение потребляемой энергии, более длительную жизнь батареи и помогает защите окружающей среды.
Основные данные
| Форм-фактор | Емкость | Серийный номер продукта | Образцы | Начало массового производства |
|---|---|---|---|---|
| 2.5" Serial ATA-2 | 512ГБ | THNS512GG8BB | Первый квартал 2009 г. | Второй квартал 2009 г. |
| 256ГБ | THNS256GG8BB | |||
| 128ГБ | THNS128GG4BB | |||
| 64ГБ | THNS064GG2BB | |||
| 1.8" Serial ATA-2 | 256ГБ | THNS256GG8BA | ||
| 128ГБ | THNS128GG4BA | |||
| 64ГБ | THNS064GG2BA | |||
| 1.8" модуль флэш-памяти Serial ATA-2 | 256ГБ | THNS256GG8BM | ||
| 128ГБ | THNS128GG4BM | |||
| 64ГБ | THNS064GG2BM |
Спецификации продукта
| 2.5" Serial ATA-2 | 1.8" Serial ATA-2 | 1.8" модуль флэш-памяти Serial ATA-2 | |
| Размер | 69.9(Ш)x9.5(В)x100(Д) мм | 54.0(Ш)x5.0(В)x78.5(Д) мм | 53.6(Ш)x3.0(В)x70.6(Д) мм |
| Вес | 66 | 44 | 15 |
| Интерфейс | Serial ATA-2 (3Гб/с) | ||
| Напряжение | 3.3В (Модуль, 1,8"), 5В (2.5") | ||
| Скорость чтения | Максимальная скорость 240Мб/с (последовательный режим) | ||
| Скорость записи | Максимальная скорость 200Мб/с (последовательный режим) | ||
| Температура | От 0С до +70С | ||
| Среднее время до первого отказа | 1 миллион часов | ||
