Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства твердотельных накопителей с интерфейсом NVMe объемом 3,2 ТБ на базе памяти 3D V-NAND, предназначенных для использования в высокопроизводительных корпоративных серверных системах hi-end сегмента.
В новом NVME PCIe SSD модели SM1715 используется стековая память собственной разработки Samsung для карт форм-фактора HHHL (half-height, half-length; половинная высота, половинная длина). Это позволило создать твердотельный накопитель объемом 3,2 ТБ, что вдвое больше предыдущего рекорда компании NVME SSD емкостью 1,6 ТБ.
«Начиная массовое производство новых NVMe SSD на базе V-NAND с наивысшим уровнем производительности из доступных сегодня, мы планируем значительно расширить рынок SSD высокой плотности, – заявил Джио Баек (Jeeho Baek), вице-президент по маркетингу подразделения по производству чипов памяти компании Samsung Electronics».
Твердотельный накопитель SM1715 является усовершенствованной версией модели XS1715 с точки зрения производительности и надежности привода. Этот 2,5-дюймовый SSD был удостоен премии 2014 Flash Memory Summit Best of Show Award как одна из самых инновационных разработок в сфере флеш-памяти.
Новый 3,2 ТБ NVMe SSD обеспечивает скорость последовательного чтения до 3000 МБ/с и скорость записи — до 2200 МБ/с. Показатели IOPS (числа операций со случайными блоками данных объемом 4 КБ) равны 750 тыс. и 130 тыс. для чтения и записи соответственно.
Кроме того, твердотельный накопитель SM1715 объемом 3,2 ГБ рассчитан на 10 полных циклов перезаписи ежедневно (DWPD) в течение пяти лет. Это гарантирует высочайшую надежность, которая критически важна для серверов корпоративного уровня.
Накопитель SM1715 будет производиться в двух версиях: объемом 1,6 ТБ и 3,2 ТБ. А 2,5-дюймовая модель XS1715 с NVMe-интерфейсом также будет доступна в вариантах: с емкостью 800 ГБ и 1,6 ТБ.
