Samsung Electronics сообщила о достижении рекордной ёмкости в индустрии твердотельных накопителей (SSD) NVMe.
Получить результат в виде NF1 накопителя на 8 терабайтов (ТБ) удалось благодаря применению компактного форм-фактора следующего поколения (NGSFF). Новый твердотельный накопитель 8ТБ NVMe NF1 SSD оптимально подходит для работы с большими массивами аналитических данных и приложениями виртуализации в дата-центрах нового поколения и корпоративных серверных системах.
«Создание первого твердотельного накопителя NF1 NVMe SSD позволяет Samsung поднять инвестиционную эффективность дата-центров на новый уровень, — подчёркивает Севон Чун (Sewon Chun), вице-президент подразделения маркетинга устройств памяти в Samsung Electronics. — Мы продолжим развивать новый тренд создания дата-центров большой ёмкости и корпоративных систем. Добиться результата позволят решения для хранения данных с непревзойдёнными показателями производительности и ёмкости».
Новый твердотельный накопитель состоит из 16 NAND-схем Samsung ёмкостью 512 гигабайтов (ГБ), каждый из которых совмещает 16 слоёв 3-битных V-NAND чипов на 256 гигабит (Гб). В итоге 8 ТБ памяти умещаются в ультракомпактном корпусе размером 11 х 3,05 сантиметра. Это двойное увеличение объёма памяти в сравнении с твердотельным накопителем M.2 NVMe SSD (11 х 2,2 сантиметра), который обычно используется в масштабных серверных конструкциях и тонких ноутбуках. Накопители NF1 SSD наверняка быстро и легко заменят обычные 2,5-дюймовые NVMe SSD. В этом им поможет трёхкратное преимущество в ёмкости серверной инфраструктуры, которое обеспечит реализацию невероятных 576 ТБ пространства в последнем поколении стоечных 2U-серверов.
Твердотельный накопитель NF1 получил высокопроизводительный контроллер с поддержкой протокола NVMe 1.3 и интерфейса PCIe 4.0. Сочетание названных характеристик обеспечивает последовательную скорость чтения на уровне 3,100 МБ/с и скорость записи на уровне 2,000 МБ/с. Показатели опережают результаты типичных накопителей SATA SSD более чем в 5 и 3 раза соответственно. Скорость произвольных операций чтения эквивалентна 500,000 IOPS, тогда как скорость записи составляет 50,000 IOPS. С помощью нового решения памяти NF1 корпоративные серверные системы смогут выполнять более миллиона IOPS в стоечном 2U-пространстве, что значительно улучшит показатель возврата инвестиций в масштабные дата-центры следующего поколения. SSD также поддерживают 12ГБ LPDDR4 DRAM-память для более быстрой и энергоэффективной обработки данных.
Samsung планирует дополнить твердотельный накопитель на базе 3-битных V-NAND чипов на 256 Гб версией на 512 Гб во второй половине 2018 года. Новая модель обеспечит ещё более быструю обработку больших массивов данных и заодно ускорит развитие разнообразных дата-центров следующего поколения.
