Samsung и Sun занялись разработкой новой флеш-памяти

Samsung Electronics и Sun Microsystems анонсировали партнерскую программу, в ходе которой будет разработана новая разновидность флеш-памяти NAND с одноуровневыми ячейками (single-level-cell, SLC). Она будет предназначена для использования в твердотельных (solid state) дисках и должна обеспечить наиболее высокий уровень устойчивости к износу из всех представленных на рынке видов флеш-памяти, сообщает "Компьютерное Обозрение".

По сравнению с обычной SLC-памятью, новая разработка поддерживает впятеро большее количество циклов записи-удаления. Эта сделает предпочтительным ее использование в серверах с высокими требованиями к обработке данных. Совместные работы над устройством ведутся партнерами уже несколько месяцев.

Возможными сферами применения NAND SLC станут обработка видео, поисковые системы и другие функции, требующие высокую скорость работы с большими объемами информации. По данным Samsung, ее серверная память будет в 100 раз лучше традиционных жестких дисков в операциях ввода/вывода в секунду (I/OPS) на ватт потребленной энергии. Т.е. новая технология сможет дополнительно обеспечить меньшее энергопотребление и снижение требований к охлаждению.

По словам Майкла Корнуэлла (Michael Cornwell), главного технолога по флеш-памяти в Sun Microsystems, его компания планирует использовать технологию SLC NAND в своих линейках серверов и системах хранения данных. По его мнению, новая технология способна совершить настоящий переворот в аппаратном обеспечении серверов.

Согласно с данными исследовательской компании IDC, спрос на диски SSD со стороны корпоративного сегмента увеличится до 2,24 млн единиц к 2012 г.