Компания IM Flash Technologies (IMFT), основанная Intel и Micron, представила на днях новое поколение флэш-памяти типа NAND, которая работает в 5 раз быстрее, чем традиционные флеш-носители.
Высокоскоростная флеш-память базируется на спецификации ONFI 2.0 (Open NAND Flash Interface), которая позволила удвоить ширину пропускания канала по принципу DDR (Double Data Rate), и многоуровневых микросхемах (Multi-Level Cell, MLC) - все это стало причиной увеличения скорости чтения до 200 Мб/с, а скорости записи - до 100 Мб/с. Для сравнения, традиционные носители с одноуровневой архитектурой развивают скорость 40Мб/с и 20 Мб/с при чтении и записи соответственно.
Кроме того, производство носителей нового поколения будет осуществляться с использованием передового 50-нм технологического процесса. Источники отмечают, что память нового поколения окажет огромное влияние на рынок NAND-устройств, объемы которого уже в 2010 году будут составлять 25-30 млрд долларов.
Массовое производство устройств начнется во 2 половине 2008 года.
