Intel и Micron Technology объявили о переходе на нормы 20-нм технологического процесса при производстве NAND-памяти.
Новый процесс позволяет выпускать чипы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 8 ГБайт в виде миниатюрных модулей, позволяющих хранить огромное количество музыкальных треков, видеороликов, электронных книг и других данных в смартфонах и планшетах. Эти чипы будут применяться также в твердотельных накопителях (SSD).
Постоянное развитие цифровой экосистемы и непрерывное расширение функционала мобильных цифровых устройств требуют наличия накопителей все более высокой емкости. Новые микросхемы емкостью 8 ГБайт, выполненные на базе 20-нм технологии, имеют площадь всего 118 кв. мм, занимая на 30-40% меньше пространства на печатной плате (зависит от типа корпуса) по сравнению с чипами емкостью 8 ГБайт, выполненными на базе 25-нм технологии. Уменьшение размеров позволяет улучшить свойства конечного продукта, например, установить батарею большей емкости, больший экран или добавить еще один чип для расширения функционала.
Новые чипы, выпускаемые IM Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием Intel и Micron, являются настоящим прорывом в области проектирования и технологий производства NAND-памяти и укрепляют лидерство партнеров в данной сфере. Уменьшение техпроцесса является эффективным способом расширения производственной мощности в пересчете на единицу объема информации - данный шаг позволил примерно на 50% увеличить мощность производства в гигабайтах по сравнению с технологией предыдущего поколения. При этом 20-нм процесс сохраняет прежний уровень скорости работы флэш-памяти и обеспечивает столь же длительный срок эксплуатации.
В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 20-нм чипов памяти на 8 ГБайт. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 г. В ближайшее время Intel и Micron планируют представить образцы модулей емкостью 16 ГБайт, которые позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 Гбайт размерами меньше, чем почтовая марка США.
