Компания Samsung Electronics сообщает об очередном достижении собственных разработчиков – изготовлении микросхем оперативной памяти четвертого поколения, которые являются наиболее производительными DRAM-чипами на сегодняшний день. Емкость DDR4-устройств составляет 512 Мбит, при этом изготовляются чипы по 80-нм технологическому процессу.
Новинки способны обрабатывать до 12,8 Гбайт в секунду, что примерно на 30% больше, чем могут осилить присутствующие сегодня на рынке продукты. Samsung Electronics планирует начать массовый выпуск DDR4-чипов уже в марте.
Новые устройства будут устанавливаться на флагманские видеокарты, а со временем память DDR4 появится и в мэйнстрим-решениях, что означает заметное повышение производительности графической подсистемы персональных компьютеров, передает Ferra.
