Компании Samsung и Hynix буквально на прошлой неделе показали общественности первые, разумеется, не коммерческие образцы модулей оперативной памяти DDR4.
Новинки от Samsung изготовлены на базе микросхем 30 нм архитектурой и характеризуются возможностью работать на эффективной частоте 2133 МГц при номинальном напряжении 1,2 вольта.
Компания Hynix же использовала микросхемы на базе 38 нм, при этом память работает на частоте 2400 МГц при тех же 1,2 вольта, пишет NTECH.
Обе компании рассчитывают начать массовое производство микросхем DDR4 уже в этом году, после освоения 20 нм технологических норм. Впрочем, широкомасштабное внедрение памяти, как считают аналитики, начнётся только в 2014 году.
