Samsung Electronics объявила о разработке самого тонкого многокристального модуля толщиной всего 0,6 мм. Первые образцы модуля емкостью 32 гигабайт (ГБ) имеют вполовину меньшую толщину, чем обычные устройства из восьми чипов. Передовая технология упаковки позволяет создавать на 40 % более тонкие и легкие устройства памяти для мультимедийных телефонов и мобильных устройств.
«Тонкий форм-фактор остается важной характеристикой мобильных устройств, и Samsung прилагает все усилия к тому, чтобы вдвое уменьшить толщину модуля микросхем памяти по сравнению с существующими образцами, — отметил Джим Эллиотт, вице-президент по маркетингу, Samsung Semiconductor. — Новый ультратонкий модуль содержит существенно более тонкие кристаллы, толщиной вполовину меньше, чем у обычного чипа. Упаковка толщиной 0,6 мм содержит восемь одинаковых кристаллов (так называемая восьмичиповая упаковка) флеш-памяти NAND емкостью 32 ГБ, выполненных по технологическим нормам 30-нанометрового класса и объединенных в устройство NAND емкостью 32 ГБ. Каждый чип в упаковке имеет толщину всего 15 мкм».
Технология ультратонкой упаковки позволяет преодолеть предел устойчивости чипов тоньше 30 мкм к внешнему давлению. От этого ограничения по толщине напрямую зависел объем выхода годной продукции, и следовательно — продуктивность производства.
Толщина 15 мкм — значительное достижение, поскольку позволяет удвоить емкость многокристальных модулей по сравнению с существующими продуктами. Благодаря меньшей толщине вес микросхемы также существенно уменьшился.
Кроме того, новую технологию упаковки можно адаптировать для производства других многокристальных модулей, устройств класса «система в многокристальной упаковке» (SiP) и «упаковка в упаковке» (PoP). Революционная технология изготовления микросхем толщиной менее 15 мкм позволит создавать запоминающие устройства, сочетающие большую емкость и сверхмалый форм-фактор, которые очень востребованы мобильным рынком.
«Благодаря многокристальным модульным решениям толщиной менее 1 мм разработчики мобильных телефонов получают больше возможностей для создания стильных и тонких устройств, весьма востребованных сегодня на рынке», - комментирует Тайген Чун, вице-президент центра тестирования и упаковки полупроводников, Samsung Electronics.
По прогнозам исследовательской компании iSuppli в 2009 году будет произведено 310 млн. карт памяти емкостью 2 ГБ и более, что составляет 60% от общего объема производства карт памяти. К 2012 году этот показатель возрастет до 7,7 млрд. (89 % от общего объема производства).
Кроме того, аналитики iSuppli считают, что в 2009 году будет произведено 35 млн. карт емкостью 16 ГБ и более (в эквиваленте 16 ГБ). К 2012 году этот показатель достигнет 530 млн. штук, т. е. возрастет в 15 раз. В то же время доля данного сегмента в общем объеме производства за указанный период увеличится с 33 % до 74 %.
