Samsung начинает массовое производство 32-слойных чипов флэш-памяти NAND

Компания Samsung Electronics объявляет о начале массового производства первой в отрасли 32-слойной флеш-памяти 3D V-NAND, которая является вторым поколением технологии V-NAND.

В представленных чипах памяти используются 32 вертикально сложенных слоя ячеек памяти.

32-слойная технология Samsung 3D V-NAND (Vertical NAND) требует более высокого уровня в проектировании чипов, позволяющего интегрировать в вертикальной плоскости 32 массива ячеек памяти вместо прежних 24-х слоев с обеспечением намного большей рентабельности благодаря возможности задействовать в практически неизменном виде производственные мощности для изготовления 24-слойных микросхем V-NAND 1-го поколения.

Также Samsung запустил линейку SSD премиум-класса емкостью 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ на базе чипов флеш-памяти V-NAND 2-го поколения. Представив в 2013 году SSD на базе технологии 3D V-NAND для дата-центров, в этом году Samsung, развивая собственную рыночную базу, расширяет линейку SSD V-NAND для ресурсоемких приложений для ПК hi-end-сегмента. 

Новые SSD с технологией 3D V-NAND обладают примерно вдвое большим коэффициентом выносливости SSD (endurance for writing) и на 20% меньшим энергопотреблением на фоне устройств с многоуровневыми (MLC) ячейками NAND-памяти на базе планарной (2D) технологии.

Кроме того, в этом году Samsung намерен пополнить семейство SSD с памятью 3D V-NAND 2-го поколения премиум-класса с повышенной надежностью и плотностью ячеек памяти для удовлетворения широко спектра потребностей пользователей.

По данным недавнего исследования агентства Gartner, объем глобального рынка памяти ожидает рост с нынешних $75,5 млрд до примерно $79,7 млрд в 2017 году, где рыночная доля флэш-памяти NAND продолжит стремительно расти с превышением в 2017 году 50%-й отметки, достигнув показателя в $44,6 млрд.