Hynix Semiconductor сообщила о своей последней разработке — первом мобильном 1-гигабитном чипе DRAM-памяти стандарта DDR2, произведенном по нормам 54-нм техпроцесса. Чип отличается высокой скоростью работы и низким энергопотреблением.
Максимальная частота работы нового чипа — 1066 МГц, поддерживается 32-битный ввод/вывод сигнала, пропускная способность составляет 4,26 ГБ/сек — по одному каналу, соответственно, для двух каналов она будет равна 8,52 ГБ/сек. Hynix будет предлагать новые чипы с 2- либо 4-битной предвыборкой команд (prefetch), а также с 16- или 32-битным вводом/выводом данных.
Мобильный чип памяти DDR2, по словам производителя, потребляет вполовину меньше энергии, чем предыдущее поколение чипов мобильной DDR, и почти на треть меньше по сравнению с обычным чипом DDR2 DRAM.
Новинка найдет свое применение в портативных устройствах следующего поколения (нетбуках, мобильных интернет-устройствах, смартфонах класса high-end), которые будут характеризоваться высокой пропускной способностью при передаче данных и длительным временем автономной работы.
Массовое производство мобильных чипов DRAM DDR2 начнется со второго полугодия 2009 г.
