Hynix Semiconductor анонсировала выход своих 4-гигабитных модулей DDR SDRAM, совместимых с платформой Moorestown, разработанной Intel специально для мобильных интернет-устройств (MID).
Максимальная рабочая скорость у представленных модулей DRAM — 400 Мбит/сек, при 32-битных I/O обрабатывается до 1,6 ГБ данных в секунду. Это соответствует стандартам JEDEC и подходит для применения в мобильных устройствах следующего поколения — MID, нетбуках, смартфонах, где требуются высокоемкая и быстрая оперативная память и в то же время — низкое энергопотребление.
Мобильные DRAM-модули Hynix на 4 ГБ сделаны в форм-факторе multi-chip package (MCP) и package-on-package (POP). Массовое производство запланировано на третий квартал 2009.
