Samsung Electronics разработала и утвердила первые чипы и модули DRAM нового класса, выполненные по нормам 40-нм техпроцесса. К ним относятся 1-гигабитные компоненты DDR2 и 1 ГБ модуль DDR2 SODIMM с пропускной способностью 800 Мб/c. Данные разработки прошли сертификацию Intel Platform Validation и будут реализованы в мобильных чипсетах Intel GM45.
Samsung заявляет, что применение 40-нм техпроцесса в производстве микросхем DRAM позволит сократить на 50% период изготовления изделия до момента выхода на рынок — этот период теперь составит всего 1 год. Компания намеревается использовать 40-нм технологии для разработки 2-гигабитной памяти DDR3, серийное производство которой начнется к концу текущего года.
Микросхемы DRAM, выполненные по 40-нм нормам будут отличаться меньшим энергопотреблением по сравнению с 50-нм предшественниками. Специалисты Samsung полагают, что новые чипы будут расходовать энергии на 30% меньше, чем 50-нм микросхемы DRAM. При этом новые чипы будут на 60% превосходить по производительности своих предшественников.
