Samsung Electronics объявил о начале кампании Green Memory по продвижению энергоэффективных микросхем памяти DDR3 емкостью 2 Гб, выпущенных по 40-нанометровой технологии.
Чипы DRAM DDR3 емкостью 2 Гб сочетают 40-нанометровые технологические нормы и напряжение питания 1,35 вольт, поэтому общее энергопотребление даже у высокоемких модулей DRAM на базе этих микросхем ниже, чем у обычных.
Инициатива Samsung Green Memory призвана донести информацию о преимуществах серверов, которые используют 40-нанометровые микросхемы DRAM DDR3. В рамках кампании создан веб-сайт по продвижению высокоэффективных микросхем DDR3 (www.samsung.com/DDR3) под девизом: «Меньше энергии, больше скорости, больше памяти». Сайт предоставляет подробную информацию об энергоэффективности микросхем DDR3, а также калькулятор, позволяющий вычислить экономию от использования таких чипов памяти.
«40-нанометровые микросхемы DRAM DDR3 потребляют лишь четвертую часть энергии, требующейся 60-нанометровым чипам, которые сегодня массово используются на рынке. Это оптимальное решение для повышения эффективности серверов, способных работать с большими объемами данных, – отметил Донг Су Юн (Dongsoo Jun), исполнительный вице-президент подразделения Samsung Electronics по продажам и маркетингу запоминающих устройств. – 40-нанометровые микросхемы памяти DRAM DDR3 являются не только серверным решением, но и дают новые преимущества всему ИТ-рынку и конечным пользователям, в том числе по снижению эксплуатационных затрат».
Samsung начал массовое производство 50-нанометровых микросхем DRAM DDR3 в сентябре 2009 года. Спрос на такие чипы со стороны крупных производителей серверов продолжает расти, а доля этих продуктов на серверном рынке возросла с 30 % в начале 2008-го до 50 % к концу года.
В модельный ряд 40-нанометровых микросхем DDR3 емкостью 2 Гб от Samsung входят:
- для серверного рынка: модули RDIMM емкостью 16 ГБ и 8 ГБ
- для рабочих станций и настольных ПК: модули UDIMM емкостью 4 ГБ
- для ноутбуков: модули SODIMM емкостью 4 ГБ
По прогнозам исследовательской компании iSuppli, доля DDR3 на общем рынке DRAM достигнет 20 % в 2009 году и 82 % к 2012-му. Поставки микросхем DDR3 емкостью 2 Гб до 2010 года возрастут в 15 раз и достигнут 600 млн. штук, а к 2012 году - уже 8,8 млрд.
