«Модули RDIMM 32 ГБ полностью отвечают требованиям к емкости и производительности мощных серверов следующего поколения, – подчеркнул Ванхун Хонг, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу твердотельной памяти, подразделение аппаратных решений Samsung Electronics. – Мы продолжим разработку производительных и высокоемких решений, которые помогут создавать более дружественные для экологии серверные системы».
Модули памяти RDIMM 32 ГБ с технологией упаковки 3D TSV используют микросхемы памяти DDR3 емкостью 4 Гб (гигабит), выпущенные по производственным нормам 30-нанометрового класса. Модуль поддерживает скорость передачи данных 1333 Мб/с, что на 70 % больше, чем у 4-ранговых модулей RDIMM 32 ГБ со скоростью передачи данных 800 Мб/с.
Новый модуль емкостью 32 ГБ имеет энергопотребление всего 4,5 Вт/ч, что является самым низким показателем для модулей, используемых в серверах корпоративного класса. По сравнению с модулем памяти 32 ГБ с двухрядным расположением выводов и сниженной нагрузкой (LRDIMM), позволяющим создавать решения емкостью 32 ГБ и выше, новый модуль обеспечивает снижение энергопотребления в среднем на 30 %.
Экономия достигается путем использования технологии TSV. Она предполагает замену традиционных проводных соединений сквозными вертикальными соединениями, благодаря чему можно сделать сигнальные линии существенно короче. При этом многоуровневая микросхема будет сравнима по производительности с цельным кремниевым чипом, ее энергопотребление снижается, а скорость передачи данных увеличивается.
Сотрудничество Samsung Electronics с производителями центральных процессоров и контроллеров помогает ускорить переход потребителей современных серверных систем к модулям памяти 3D TSV и открывает возможность использования модулей DDR3 емкостью 32 ГБ и выше на основе микросхем, выпускаемых по технологическому процессу 20-нанометрового класса для высокопроизводительных серверов.
