Южнокорейская Samsung анонсировала старт массового производства однокристальной системы, в основе которой 10-нм техпроцесс FinFET.
Новый чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получит транзисторную 3D-структуру. Согласно официальным данным, он будет способен обеспечить на треть более высокую удельную эффективность поверхности. Кроме того, существенно снизиться потребление энергии (на 40%) в сравнении с предшественниками на 14 нм.
Ожидается, что системы на базе нового чипа появятся на смартфонах уже в начале следующего года.
