Компания Samsung Electronics объявила о серийном производстве передовых модулей памяти DDR3, созданных на основе 20-нм техпроцесса.
Новинки предназначены для использования в широком диапазоне вычислительных приложений.
При создании чипов DDR3 DRAM была использована доступная иммерсионная ArF-литография (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета). Подобные технологии производства позволяют создавать передовые 4-гигабитные чипы памяти на основе 20-нм техпроцесса, тем самым расширяя диапазон DRAM-моделирования.
Производство чипов памяти DRAM, в которых каждая ячейка состоит из связанных между собой транзистора и конденсатора, является намного более сложным процессом по сравнению с производством чипов NAND Flash, в ячейках которых находится по одному транзистору. Для продолжения выпуска передовых модулей DRAM-памяти Samsung усовершенствовал концепцию дизайна и производства, использовал технологии двойного шаблона и осаждения атомных слоев.
Усовершенствование технологии двойного шаблона стало новой вехой в производстве чипов памяти, способствуя появлению модулей DDR3 на основе 20-нм техпроцесса. В свою очередь, чипы памяти, использующие фотолитографические технологии, станут основой для следующего поколения DRAM-продуктов 10-нм класса. К тому же, при производстве чипов памяти DDR3 на основе 20-нм техпроцесса были успешно созданы однородные ультратонкие диэлектрические слоя клеточных конденсаторов, что привело к значительному увеличению производительности каждой ячейки.
Применение новых технологий при создании модуля памяти DDR3 DRAM на основе 20-нм техпроцесса привело к 30%-му повышению эффективности производства по сравнению с выпуском предыдущего поколения чипов памяти DDR3 на основе 25-нм техпроцесса, а также к повышению эффективности более чем вдвое – по сравнению с выпуском чипа DDR3 30-нм класса.
Помимо этого, новые 4-гигабитные чипы памяти DDR3 позволяют экономить до 25% потребляемой энергии по сравнению с равноценными модулями памяти, созданными на основе 25-нм техпроцесса. Такое усовершенствование компонентов является основой для разработки самых современных «зеленых» решений для мировых компаний.
«Новый энергоэффективный модуль памяти DDR3 DRAM от Samsung, который создан на основе 20-нм техпроцесса, сможет завоевать большую популярность в разных сегментах рынка ИТ (включая рынки ПК и мобильных устройств), – отметил Ян Хен Чжун (Young-hyun Jun), исполнительный вице-президент департамента маркетинга и продаж устройств памяти компании Samsung Electronics.– Наша компания продолжит поставлять чипы памяти DRAM нового поколения, а также «зеленые» экологичные решения в области памяти (green memory solutions), оставив позади конкурентов, одновременно способствуя росту мирового ИТ-рынка в тесном сотрудничестве с нашими клиентами и партнерами».
