На мощностях южнокорейской компании Samsung началось массовое производство 6-Гб LP-DDR3 RAM-памяти, ориентированной на использование в мобильных устройствах.
Новая память создана на основе 20-нм техпроцесса, и обеспечивает скорость обмена данными до 2133 Мбит/c на один контакт.
А
вот при объединении четырех 6-гигабитных чипов в один модуль
производители получат 3 ГБ ОЗУ LP-DDR3, размеры которого на 20% меньше
аналогов, а производительность на 30% больше.
Сроки отгрузки первых чипов заказчикам пока не называются.
