Hynix представила на Международной конференции по полупроводниковым схемам 1-гигабитный чип DDR3 RAM. Его вместительность составляет 128 МБ, чип был создан по нормам 44-нм техпроцесса, что позволило увеличить его производительность на 50% по сравнению с микросхемами, сделанными по старой, 54-нм технологии. Максимальная скорость работы новой памяти составляет 2133 Мбит/сек. Новинка также будет более экономично расходовать электроэнергию.
Разработка Hynix, по заявлению ее создателей, отвечает требованиям Intel, однако, это необходимо будет подтвердить в процессе получения соответствующей сертификации.
Серийное производство первых 44-нм чипов DDR3 RAM начнется летом. Hynix не описывает детально свой новый продукт, хотя указывает, что емкость существующих модулей RAM ограничена 4 ГБ, а их стоимость получается довольно высокой из-за большого числа индивидуальных чипов памяти.
