Silicon Power объявила о выпуске новых 240-контактных DIMM-модулей оперативной памяти DDR3 ёмкостью 4 Гб, которые функционируют на частоте 1333 МГц с задержками CL9 и характеризуются напряжением питания 1,5 В.
По заявлениям разработчиков, их детища изготовлены в полном соответствии с требованиями стандартов JEDEC. При этом отмечается, что схемное решение Fly-by позволяет максимизировать эффективность передачи сигналов между DRAM-микросхемами и контроллером памяти, а технология ODT (On-DIE Termination) призвана уменьшить отражение сигнала.
Данные решения обеспечиваются пожизненной фирменной гарантией качества и будут доступны как поштучно, так и в виде двух- и трёхканальных комплектов суммарным объёмом 8 и 12 Гб соответственно. О ценах на эти продукты пока ничего не известно, пишет 3Dnews.ru
