В ходе рассмотрения дела по сговору компании Samsung и ряда других производителей полупроводников с целью контроля над ценами на модули оперативной памяти DRAM, три топ-менеджера Samsung были приговорены к тюремному заключению, сообщает Lenta.
Вынесенный вердикт стал итогом судебного разбирательства, которое длилось без малого три года. Ряд крупнейших производителей проводников, таких как Samsung, Hynix, Infineon и Eplida обвинялся в сговоре с целью контроля над ценами на модули DRAM в период с апреля 1999 по июнь 2002 года.
Помимо тюремного заключения сроком от 7 до 8 месяцев, сотрудников Samsung обязали выплатить штраф в размере $250 тысяч. Стоит отметить, что точно такой же вердикт был вынесен представителям компании Hynix месяцем ранее. К заключению были приговорены также и представители Infineon в 2004 году.
