Компания Samsung Electronics объявила сегодня о разработке первых в отрасли 14-нанометровых 16-гигабитных чипов памяти стандарта Low Power Double Data Rate 5X (LPDDR5X) DRAM.
Анонсированные изделия ориентированы на применение в устройствах с поддержкой мобильной связи пятого поколения (5G), системах искусственного интеллекта (ИИ), серверах, автомобильных платформах и пр.
Память LPDDR5X обеспечивает скорость передачи данных до 8,5 Гбит/с. Это примерно в 1,3 раза выше пропускной способности изделий LPDDR5, которые выдают результат на уровне 6,4 Гбит/с.
Благодаря применению 14-нанометровой технологии производства энергопотребление памяти удалось сократить на 20 % по сравнению с решениями стандарта LPDDR5.
На основе 16-гигабитных чипов LPDDR5X могут создаваться модули оперативной памяти ёмкостью до 64 Гбайт.
Предполагается, что новая память поможет в развитии концепции «цифровой реальности», предусматривающей внедрение технологий ИИ, машинного обучения и дополненной реальности (AR) в различных сферах жизни.
(C) 3dnews.
