Новые высокоемкие модули памяти предназначены для смартфонов следующего поколения и станут новой вехой на пути перехода рынка с 2-гигабайтных микросхем памяти, которые широко используются в современных мобильных устройствах сейчас, к решениям с большей емкостью.
В ультратонком чипе памяти для мобильных устройств LPDDR3 DRAM емкостью 3 ГБ используются шесть самых маленьких в индустрии 4-гигабитных чипов LPDDR3 20-нанометрового класса, составленных в симметричную структуру из двух групп по три чипа в каждой. Модуль имеет толщину всего лишь 0,8 мм, что позволит создать максимально тонкие смартфоны, оставляя в них гораздо больше места для батареи, обеспечивая при этом скорость передачи данных до 2 133 Мбит/сек. на контакт.
«Чипы мобильной памяти LPDDR3 DRAM емкостью 3 ГБ начнут использоваться в самых современных смартфонах, начиная со второго полугодия 2013 года. После этого новинки будут применяться в большинстве мобильных устройств во всем мире уже с 2014 года, – отметил Янг Хен Чжун (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент департамента маркетинга и продаж устройств памяти Samsung Electronics. – Далее мы планируем предложить новые решения в сфере модулей памяти LPDDR3 емкостью 3 ГБ с использованием четырех 6-гигабитных чипов LPDDR3 DRAM, расположенных двумя симметричными рядами по два чипа в каждом. Это технологическое нововведение значительно повысит производительность смартфонов уже к концу этого года».
Благодаря увеличению емкости модуля памяти DRAM для мобильных устройств, пользователи смогут просматривать Full HD-видео в высоком качестве без каких-либо задержек воспроизведения, а также наслаждаться более быстрой работой смартфонов в режиме многозадачности. Также новые чипы памяти LPDDR3 отличаются большей скоростью загрузки данных и обеспечивают полную поддержку LTE-A (LTE Advanced) – стандарта мобильной связи следующего поколения.
Модуль памяти Samsung LPDDR3 емкостью 3 ГБ подключается к процессору мобильного устройства при помощи двух симметричных каналов передачи данных, каждый из которых подсоединен к 1,5-гигабайтному участку памяти. Несмотря на то, что асимметричный поток данных может вызвать резкую потерю производительности при определенных настройках, симметричная структура чипа памяти позволит избежать этих проблем, одновременно максимально увеличивая уровень производительности системы.
Учитывая, что емкость модулей памяти для ПК зачастую не превышает 4 ГБ, возможность использования в мобильных устройствах чипов памяти LPDDR3 емкостью 3 ГБ помогает получить производительность на уровне ПК, сокращая разрыв между компьютерами и смартфонами.
С выпуском новых чипов LPDDR3 DRAM емкостью 3 ГБ компания Samsung Electronics значительно расширила ряд модулей памяти для мобильных устройств, предлагая чипы разной емкости (1 ГБ, 2 ГБ и 3 ГБ), а также первые в индустрии модули памяти для смартфонов и планшетов, созданные на основе 20-нанометрового технологического процесса. Компания планирует и далее удерживать лидерские позиции на рынке чипов памяти для мобильных устройств, благодаря постоянному повышению конкурентоспособности своих продуктов.
