Samsung анонсировала чипы DDR3 плотностью 2 гигабит

Компания Samsung представила самые маленькие в мире микросхемы DDR3 плотностью 2 Гбит. Использование 50-нанометрового технологического процесса позволило в два раза повысить плотность памяти, новые чипы предназначены для изготовления модулей RAM до 16 ГБ.

Крошечные размеры микросхем дают возможность устанавливать до 8 ГБ памяти на печатной плате модуля RIMM (Rambus in-line memory module), или 4 ГБ на плате SODIMM (small outline dual in-line memory module) и UDIMM (unregistered dual in-line memory module), не выстраивая при этом сложные конструкции в несколько уровней. Максимальный объем RIMM, при использовании компонентов, содержащих по два чипа, составляет 16 ГБ.

Несмотря на возросшую мощность, новые 2-гигабитные чипы являются более экономичными: их энергопотребление на 40% ниже, чем у 1-гигабитных модулей.

Чипы DDR3 плотностью 2 Гбит обеспечивают скорость передачи данных до 1,3 Гбит/с при напряжении питания 1,5 или 1,35 В, что в 1,6 раза превосходит скорость 800 Мбит/с, которая достигается комбинацией в одном компоненте двух 1-гигабитных чипов. Кроме того, уменьшение числа чипов снижает тепловыделение.

Samsung запустит производство новых чипов DDR3 этой осенью. Компания ожидает увеличения поставок своих DDR3 в следующем году, поскольку все больше систем будут переходить на новый формат.