Компания Samsung начала рассылать образцы новых 16-гигабитных чипов памяти GDDR6 с пропускной способностью 20 Гбит/с (модель K4ZAF325BC-SC20) и 24 Гбит/с (K4ZAF325BC-SC24) своим партнёрам.
Информация о них была обнаружена в каталоге южнокорейского производителя. В перспективе эти микросхемы могут появиться в видеокартах нового поколения.
Графические ускорители AMD Radeon RX 6000 в основном оснащаются чипами памяти Samsung с пропускной способностью 16 Гбит/с и поддерживают разрядность шины до 256 бит. Если бы в картах AMD не использовалась инновационная технология Infinity Cache, то графические ускорители Radeon значительно отстали бы по показателям скорости и пропускной способности подсистемы памяти от видеокарт GeForce RTX 30-й серии от NVIDIA, которые используют чипы нового стандарта GDDR6X со скоростью 19,5 Гбит/с, да к тому же используют шину шириной до 384 бит. Самой быстрой памятью в видеокартах AMD являются микросхемы GDDR6 со скоростью 18,5 Гбит/с в ускорителе Radeon RX 6900 XT LC.
Обнаруженные 20- и 24-Гбит чипы памяти Samsung могут в перспективе обосноваться в составе графических ускорителей AMD на архитектуре RDNA 3, и в составе будущих видеокарт NVIDIA серии Lovelace. Как указывает портал VideoCardz, представленные в каталоге продуктов Samsung обе микросхемы памяти используют упаковку 180FGBA, как и, например, чипы Samsung с маркировкой K4ZAF325BM-HC16, применяющиеся в составе модели Radeon RX 6900 XT.
В то же время именно NVIDIA может стать первой компанией, чьи видеокарты получат память со скоростью выше 20 Гбит/с. Согласно последним слухам, готовящаяся к анонсу в январе видеокарта GeForce RTX 3090 Ti будет оснащаться памятью со скоростью 21 Гбит/c.
(С) 3dnews.
