5 июня 2003, 9:18

Созданы прозрачные транзисторы

Хидео Хосоно с коллегами из организации "Японская наука и технология" (Кавасаки) и Токийского технологического института создали новый тип прозрачных высокоскоростных транзисторов, в десять раз более быстрых, чем существующие, которые считаются переходом к оптоэлектронике следующего поколения.

В качестве основы транзистора был использован однокристальный тонкопленочный оксидный полупроводник. Такие материалы широко используются в качестве пассивных слоев в дисплейных панелях и солнечных батареях. Однако это изоляторы, а поэтому не пригодны для создания активных электронных компонентов.

Группе Хосона удалось создать прозрачный полевой транзистор с очень высокой подвижностью электронов, обусловленной отсутствием дефектов в однокристальной пленке. Такие транзисторы можно будет использовать для создания "невидимых контуров", которые найдут применение в прозрачных дисплеях и проекторах.

Однако пока производство все еще достаточно дорогое, но, как считают ученые, важна уже сама продемонстрированная возможность таких устройств.

Оцените новость:
  • 0 оценок