Samsung представил новую линейку потребительских SSD 850 EVO

Компания Samsung Electronics представила новую линейку твердотельных накопителей 850 EVO, которая пополнила существующий модельный ряд SSD компании.

Накопители, которые созданы на базе технологии флеш-памяти 3D Vertical NAND с 3-битными ячейками, обеспечивают значительный прирост производительности и износостойкости по сравнению с предыдущим поколением, и потому идеально подходят для использования в обычных персональных компьютерах. Новые SSD 850 EVO, вышедшие под девизом "Новый уровень производительности и износостойкости", поступят в продажу в 53 странах мира, включая США, Европу и Азию, начиная с декабря 2014 года.

"Мы необычайно рады представить пользователям новую серию твердотельных накопителей 850 EVO, – говорит Юнсу Ким (Unsoo Kim), старший вице-президент департамента продуктового бренд-маркетинга компании Samsung Electronics. – Компания Samsung планирует представить на рынок множество новых моделей SSD на базе технологии V-NAND в разных форм-факторов, что позволит ускорить развитие мирового рынка твердотельных накопителей".

В отличие от  моделей 850 Pro для высокопроизводительных клиентских ПК и малых и средних корпоративных серверов, в которых используется флеш-память 3D Vertical NAND с 2-битными ячейками, в новых твердотельных накопителях 850 EVO используется память стандарта 3D V-NAND с 3-битными ячейками. Это делает их наиболее подходящими для использования в обычных потребительских устройствах, таких как ноутбук или игровой ПК. Выход новых накопителей 850 EVO стал новым витком цикла в создании самых современных SSD для конечного пользователя, созданных на базе технологии V-NAND.

Накопители Samsung 850 Evo будут поставляться в четырех вариантах объема памяти: 1 ТБ, 500 ГБ, 250 ГБ и 120 ГБ. Новинки имеют следующие показатели производительности: 540 Мбайт/с в режиме последовательного чтения и 520 Мбайт/с в режиме записи. Благодаря наличию технологии Samsung TurboWrite, модель 850 EVO с объемом памяти 1 ТБ демонстрирует производительность при произвольной записи 90 тыс IOPS, что позволяет быстро сохранять большие объемы данных. Кроме того, накопители отличаются высокой надежностью, к примеру в моделях с объемом памяти 500 ГБ и 1 ТБ рассчитаны на 80 ГБ перезаписи ежедневно (DWPD) в течение пяти лет. 

В следующем году Samsung планирует представить расширенную линейку SSD 850 EVO на базе 3-битной технологии V-NAND в форм-факторах mSATA и M.2. Также Samsung ожидает, что выход твердотельных накопителей серии 850 EVO положительно повлияет на развитие рынка высокоемких SSD, удовлетворив потребность в SSD с объемом памяти более 500 ГБ.