Новые DDR3-модули от Samsung вдвое превосходят по емкости предыдущее поколение: при объеме памяти 32 ГБ энергопотребление осталось на прежнем уровне. Выполнены они по 40-нм техпроцессу, на один модуль приходится 36 двойных чипа с полосой пропускания 4 Гбит/с, что также вдвое выше предыдущей флагманской модели.
В компании говорят, что сдвоенный сервер с такой памятью может поддерживать до 384 ГБ. Теперь для такого объема можно использовать шесть модулей на 32 ГБ, а не 12 на 16 ГБ. Результат — прирост в скорости (с 800 до 1066 Мбит/с) при одновременном снижении энергопотребления на 40%.
Массовое производство новой памяти начнется в апреле. Во второй половине года Samsung планирует освоить 30-нм техпроцесс как для серверных, так и для настольных систем.
