Highscreen начинает продажи Highscreen Zera F – первого бюджетного смартфона с характеристиками начала 2014 года, созданного в рамках новой стратегии разработки продуктов бренда
Она подразумевает переход от ODM- к OEM-схеме разработки устройств, то есть к созданию новых моделей с нуля специалистами Highscreen. Такой подход свойственен исключительно А-брендам и практически не используется производителями «второго эшелона». У смартфонов новой линейки Zera уникальный дизайн, созданный на основе проверенных рынком наработок крупнейших производителей смартфонов. Конкретно задействованы дизайнерские наработки LG, Nokia, HTC, Apple.
Первая модель новой линейки – Highscreen Zera F – является первым бюджетным смартфоном с характеристиками 2014 года. Под этим следует понимать наличие очень хорошего IPS-экрана и 1 Гб оперативной памяти – компонентов, которые ранее не встречались в смартфонах бюджетного класса. Также новинка оборудована 2-ядерным 1,2-гигагерцевым процессором MediaTek MT6572, двумя гнездами для SIM-карт и 5-мегапиксельной камерой.
До конца марта 2014 года в продаже появятся еще два смартфона Highscreen линейки Zera, имеющие аналогичный уникальный дизайн и созданные по OEM-схеме: Zera S с 4-ядерным процессором MediaTek MT6582 и Zera U на основе 8-ядерного MediaTek MT6592 с двумя сменными батареями емкостью 2 000 и 4 000 мАч.
Большинство российских компаний, занимающихся поставками портативных электронных гаджетов, работают по следующей схеме. В каталогах китайских фабрик выбираются готовые устройства, которые или вообще не дорабатываются, или дорабатываются примерно таким образом: меняется цвет пластика корпуса, предустановленное программное обеспечение, максимум – разрешение камеры. Затем такие «чудо-смартфоны» поступают в продажу в России с логотипами отечественных марок.
Начиная с 2012 года Highscreen постепенно начал отходить от этой схемы производства устройств, называющейся «классический ODM» (Original Design Manufacturing) . Так, модели Alpha GT, Alpha GTR, Alpha R, Boost 2, Boost 2 SE и ряд других были разработаны китайскими партнерами специально для Highscreen. В них использовались отдельные готовые конструктивные и дизайнерские решения азиатских фабрик. Но создание основной концепции «фишек» данных устройств и подбор комплектующих осуществлялись уже стороной Highscreen. Например, именно специалисты бренда придумали «двухбатарейную» концепцию, реализованную сначала в Alpha R, затем в Boost 2, а потом и в Boost 2 SE (версия Boost 2 с прежним дизайном и совершенно новым железом). Причем в случае Alpha R под руководством Highscreen в системное программное обеспечение чипсета MediaTek MT6589T были внесены изменения, добавившие поддержку работы с аккумуляторами разной емкости (модель поставляется с двумя батареями – на 2 000 и 4 000 мАч). Изначально MT6589T был рассчитан на работу только с одним аккумулятором фиксированной емкости.
Сегодня Highscreen представляет совершенно новую линейку Zera – первую линейку на 100% собственных устройств. Они созданы по OEM-схеме, которая исключает использование готовых наработок китайских фабрик. Смартфоны Zera полностью разработаны в Highscreen – с нуля: от дизайна корпуса и его материалов до подбора компонентов, включая память, чипсет, экран и пр. Китайские фабрики только собирают смартфоны Zera по спецификациям Highscreen. Использование такой модели разработки и производства устройств – признак вхождения той или иной марки в «клуб А-брендов» (Apple, Sony, Nokia и другие крупные корпорации тоже создают смартфоны сами, а сборку заказывают по контракту «на стороне»). Бренды «второго эшелона» (B-бренды) по такой схеме практически никогда не работают – дорого и сложно! :)
Сегодняшняя новинка – первый смартфон новой линейки Zera – бюджетная модель Highscreen Zera F. Это – первый на 100% уникальный аппарат, созданный специалистами Highscreen по вышеописанной OEM-схеме.
Лучшим доказательством использования новой схемы разработки устройств является корпус Zera F. Он представляет собой «коктейль», ингредиенты которого взяты у лучших по дизайну флагманских смартфонов 2013 года – см. коллаж справа вверху. В итоге получился аутентичный продукт, который отлично выглядит – на порядок лучше, чем любые бюджетные ODM-смартфоны локальных марок образца 2013 года.
В дополнение к уникальному дизайну Highscreen Zera F получил и ряд технических нововведений, совершенно НЕхарактерных для смартфонов ценой 4-5 тысяч рублей образца второй половины 2013 года. По сути Highscreen Zera F является первым бюджетным смартфоном с характеристиками уже нового 2014 года: модель оборудована 4-дюймовым IPS-экраном (вместо технологии TFT-TN, свойственной бюджетникам прошлого, 2013 года) с разрешением 800 х 480 точек, а также 1 Гб оперативной памяти (вместо 512 Мб, типичных для бюджетников 2013-го).
Специально для Highscreen Zera F с нуля разработан дизайн системной платы с чипсетом MediaTek MT6572 (2 ядра ARM Cortex-A7 + графика Mali-400MP). Последний был оптимизирован для работы в связке с 1 Гб оперативной памяти; кроме того, благодаря доработкам Highscreen у Zera F нет никаких проблем с 3G-сетями и работой GPS, регулярно встречающихся в недорогих устройствах 2013 года на платформах MediaTek.
Также в Highscreen Zera F предусмотрены камеры на 0,3 и 5 мегапикселей, слот для карт MicroSD, два гнезда для SIM-карт и аккумулятор емкостью 1 600 мАч. Функционирует Highscreen Zera F под управлением операционной системы Android 4.2.2 Jelly Bean, дополненной клиентом облачного сервиса 4sync. На нем обладателю новинки предоставляется 32 Гб пространства для хранения данных.
В комплекте со всеми смартфонами Zera идут зарядка и кабель с подсветкой. Блок зарядного устройства всегда светится синим, а кабель, в зависимости от заряда, красным (когда смартфон заряжается) и синим (когда аккумулятор заряжен).
До конца марта в продаже появятся еще две модели серии Zera, разработанные с использованием аналогичного дизайна. Одна из них, Zera S, будет аппаратом среднего класса на основе 4-ядерного процессора MediaTek MT6582, вторая, Zera U, – флагманским смартфоном на базе 8-ядерного MT6592 с максимальным «фаршем», включая два сменных аккумулятора емкостью 4 000 и 2 000 мАч.
