Toshiba завершила разработку новой NAND Flash-технологии

Компанией Toshiba была разработана трехмерная структура строения памяти для увеличения плотности и объема хранимой информации. Новая технология не полагается на улучшения технологического процесса при этом размеры чипа увеличиваются незначительно.

В новой структуре колоны из запоминающих элементов располагаются вертикально сквозь многослойный материал электрода и образуют общую электрическую цепь. Такой дизайн будет применяться в будущем в памяти высокой плотности NAND, пишет mabila.ua

Современные технологии представляют собой просто двунаправленный массив ячеек памяти, который повторяется в вертикальной плоскости. Такой подход хоть и увеличивает плотность памяти, но делает технологический процесс более сложным и трудоемким.

Новая технология значительно проще в изготовлении и совсем незначительно увеличит размеры чипа при аналогичном объеме памяти.

Сейчас компания Toshiba, работает над доведением новой технологии до современных требований надежности и безопасности.