Спрос на чипы памяти стандарта DDR 2 еще только начал превышать спрос на DDR, а компания Samsung уже разработала третье поколение чипов памяти DDR.
Компания продемонстрировала 512 МБ чип, работающий на тактовой частоте 1066 МГц, что на 266 МГц выше, чем максимальный рекорд чипов DDR 2 (800 МГц). При этом DDR 3 потребляет всего 1,5 В, что на 0,3 меньше требующихся DDR 2 1,8 В.
Компания намерена запустить массовое производство нового поколения памяти уже в начале следующего года. Для производства чипов DDR 3 будет использоваться 80 нм технология. Согласно прогнозам аналитиков IDC, доля чипов DDR 3 на рынке памяти к 2009 году достигнет 65%.
