Компания Samsung сообщила о завершении налаживания технологии изготовления 512 Мб чипов памяти в стандарте DDR2, которые планируется производить по 70 нм технологии.
Напомним, что до недавних пор, чипы памяти, производимые Samsung изготавливались по технологиям 90 и 80 нм.
Новое снижение "калибра" технологического процесса позволит достичь на 100% большей плотности ячеек памяти, в сравнении с чипами, произведенными по технологии 90 нм.
В коммерческое производство память, выпущенная по технологии 70 нм, поступит уже во второй половине следующего года.
